Erasmus Mundus 共同マスター放射線とそのマイクロエレクトロニクスおよびフォトニクス技術への影響 (RADMEP)

放射線とマイクロエレクトロニクスおよびフォトニクス技術への影響（RADMEP）の2年間（120 ECTS）のヨーロッパマスターは、放射線とマイクロエレクトロニクスおよびフォトニクスの間の相互作用、ヨーロッパの未来のための2つの重要な実現技術をカバーする学際的で革新的なプログラムを提供します。RADMEP の目的は、これらの高度な技術について学生を教育し、方法論を提供し、さまざまな自然または人工の放射線が豊富な環境で実装するための実用的なアプリケーションを紹介することです。RADMEP には 2 つの目標があります。1 つ目はキャリアの見通しを改善すること、2 つ目は業界、機関、社会のニーズに応えることです。このEMJMDのおかげで、学生はヨーロッパの豊かな文化的背景の中で、役立つ専門的かつソフトなスキルを身につけることができます。コンポーネントおよびシステムに対する放射線の影響の分野は、歴史的に宇宙および原子力発電所に関連しています。技術の統合により、コンポーネントとシステムは自然の大気環境に敏感になりました。1990 年代、航空機の電子機器の開発において、大気中性子の影響が考慮されるようになりました。電子技術とフォトニクス技術の統合は進化を続けており、今日、自然放射線の影響を受けやすいのは地上レベルの電子システムです。デジタル データ ストレージは数年前から問題となっており、それらを保護するためにコンピュータとデータ センターを埋める必要があります。より多くの電気航空機、電気および自律型輸送モードを開発しているエネルギー移行のコンテキストでは、システムの信頼性を確保するために、この新しい制約を考慮する必要があります。原子力発電所の解体には、まず解体する必要があるものを観察し、次にサイトを解体するためのツールを用意するために、耐放射線性のオプトエレクトロニクスおよび電子システムが必要になります。宇宙は、商用コンポーネントを使用して衛星をよりインテリジェントにし、比類のない観測および分析能力を提供することからなる新しい宇宙で革命を起こしていますが、これらの技術の信頼性が必要であり、これらの技術はもともと宇宙向けではありませんでした。RADMEP の修士号を取得した学生が利用できる放射線分析に頼らずして、人々の安全が不可欠な電子システムまたはフォトニック システムを開発することはもはや不可能です。RADMEP のおかげで、学生はこれら 2 つの技術、つまり照射下での行動に関する基本的な知識と経験を得ることができます。最初のセメスター 1 は、Jyväskylän yliopisto (JYU、フィンランド) で、セメスター 2 は Katholieke Universiteit Leuven (KUL、ベルギー) で行われます。第 3 学期では、RADMEP の学生は 2 つの異なる専門分野から選択できます。ジャン・モネ・サンテティエンヌ大学（UJM、フランス）で開催される第1回は、フォトニクス技術への放射線影響に関するプログラムに焦点を当て、第2回はマイクロエレクトロニクスと先端電子技術への放射線影響に焦点を当て、モンペリエ大学で開催されます。 （UM、フランス）。RADMEP の学生は、たとえば 35 を超えるアソシエート パートナーの大規模な RADMEP ネットワークから、産業、機関、または研究センターのいずれかで 6 か月間の修士論文を作成します。